Herşeye ek olarak, yeni üretim süreci aynı yüzey alanına çok daha fazla transistör sığdırılabilmesine olanak tanıyor. Geliştiriciler eskiden 82.8 mm²'lik yüzey alanına 1MB L2 ön bellek de dahil 77 milyon transistör koyabilirken, Dothan'da 83.6 mm² yüzey alanına 2MB L2 ön bellek ve 140 milyon transistör sığdırılmış. Aynı kalıp (die) alanına sığdırılabilen transistör sayısı neredeyse %80 artırılmış. Düzey 2 ön bellek kalıp alanının %56'sını kaplıyor.
Banias kalıbı: Banias'ta 1MB L2 ön bellek alanın sadece %40'ını kaplıyor.
Gerilmiş silikon teknolojisi Prescott'ta da kullanılıyordu ve Dothan'ın "mobil" olabilmesini sağlayandan da aslında bu yöntem. Bu teknoloji transistörlerin altındaki silikon kristal örgünün hafifçe gerilmesini gerektiriyor ve bu yöntemle alıcı ve verici elektrodlar arasındaki kanallarda elektron akış hızı artırılmış oluyor. Elektronlar daha hareketli olabildiğinden, bu yöntemle üretilmiş transistörler daha kısa sürede açılıp kapanabiliyor. Aslında çok miktardaki transistörün bir araya gelmesinden oluşan işlemci düşünüldüğünde, daha hızlı kısa tepki süreleri, çok daha yüksek hızlara çıkılabileceğinin göstergesi.
Kuramsal olarak 90nm süreç ve 2MB L2 ön bellekle birleştirilmiş gerilmiş silikon teknolojisi, hızlı ve az güç tüketimli bir işlemciyle sonuçlanmalı. Bu sonuç, ısıl tasarım gücüne de (thermal design power) yansımalı ve Intel Dothan için 21W belirtmiş bulunuyor. Kağıt üzerinde işlemci kendi öncellerinden daha az güç tüketiyor gibi görünüyor. İleride bunun gerçek yaşamda da doğru olup olmadığını göreceğiz.
Intel Pentium-M 755
Intel Pentium-M 745
Intel Pentium-M 735
Intel Pentium-M 1.70 GHz
Bedeli
637 USD
423 USD
294 USD
294 USD
İşlemci Hızı
2.00 GHz/ 600 MHz
1.80 GHz/ 600 MHz
1.70 GHz/ 600 MHz
1.70 GHz/ 600 MHz
Paket Türü
Micro-FCPGA
Micro-FCPGA
Micro-FCPGA
Micro-FCPGA
Transistörler
140 Mil.
140 Mil.
140 Mil.
77 Mil.
FSB(ön veri anayolu) Hızı
100 MHz
100 MHz
100 MHz
100 MHz
L1 Ön Bellek
32 KB/32 KB
32 KB/32 KB
32 KB/32 KB
32 KB/32 KB
L2 Ön Bellek
2048 KB
2048 KB
2048 KB
1024 KB
L2 Ön Bellek Hızı
2.00 GHz
1.80 GHz
1.70 GHz
1.70 GHz
Veri Anayolu (bus)/ Çekirdek Oranı
20
18
17
17
Çekirdek gerilimi
1.340 V/ 0.988V
1.340 V/ 0.988V
1.340 V/ 0.988V
1.484 V/ 0.956 V
Isıl Tasarım Gücü
21 W/ 7.5 W
21 W/ 7.5 W
21 W/ 7.5 W
24.5 W/ 6 W
Uyku Güç Tüketimi
3.2 W
3.2 W
3.2 W
1.7 W
Derin Uyku Güç Tüketimi
2.5 W
2.5 W
2.5 W
1.1 W
Daha Derin Uyku Güç Tüketimi
0.8 W
0.8 W
0.8 W
0.55W
Üretim Süreci
90 nm
90 nm
90 nm
0.13 mikron
Kalıp Büyüklüğü
84mm²
84mm²
84mm²
83 mm²
Teknik Veriler: Dothan'a karşı Banias
Intel ön veri anayolu (FSB) hızını değiştirmemiş. Daha hızlı olan 133MHz FSB'li (533MHz'e dörtlü yükseltilmiş) Dothan modellerinin çıkışı için en erken yılın ikinci yarısı söyleniyor. İzleyen zaman içinde, Wintel dizüstülerde tanıtılacak olan ve bir sürü yeni özellik içeren Sonoma altyapısı da kanatlarını açmış bekliyor: çift kanal DDR2, PCI Express, DX9-destekli tümleşik görüntü (graphics), Intel'den yüksek durulukta ses, WLAN birimi Calexico 2 (a/b/g), ExpressCard ve Intel Ekran Güç Tüketimi Azaltma Teknolojisi 2.0 ve ortam ışık düzeyi algılayıcı. Hızlı bellek desteği ise aynı kalıyor ve DDR 333/266 alışılageldik şekilde devam ediyor.
