GDDR3 ile GDDR1 bellek arasındaki farklar dikkat çekecek kadar az. Temelde, GDDR1 modülleri 2.5V'a ihtiyaç duyarken, yeni GDDR3 yongaları 1.8V (Mircon) veya 1.9V (Samsung) kullanıyor. Ayrıca GDDR3 şartnamesi eşzamanlı bitirim sonlaması (on-die termination) çağrımına olanak veriyor. İki geliştirme de yongaların daha yüksek frekanslarda çalışabilmesini mümkün kılıyor. Samsung günümüze kadarki en yüksek frekanslı modülleri üretti - 800 MHz civarında (1600 MHz DDR). Gelecekte daha yüksek frekanslarda çalışan yongaları görmeye hazır olun. Yeni teknolojinin GDDR1 ile karşılaştırıldığında bir dezavantajı var, daha yüksek CAS gecikmeleri (CAS okuma gecikmesi). Pratikte bu GDDR1 modüllerinin GDDR3 yongalarına göre biraz daha hızlı çalıştığı anlamına geliyor. Ama bu dezavantaj yongaların daha yüksek frekanslarda çalışabilmesi nedeniyle ortadan kalkıyor.
Hynix ve Samsung gibi bellek üretici firmalarının ürün sayfalarında 256 Mbit GDDR1 modüllerinin 700MHz ila 800MHz arasında çalıştığını söylesede, kayda değer miktarda halihazırdaki modüller 500MHz'de çalışıyor. Bu kadar yüksek hızda GDDR1 bellek üretimi oldukça zor, zaten bu modüllerin yüksek fiyatları engel oluşturuyor. Diğer bir yandan Samsung ve Micron'un şu anda üretmekte olduğu GDDR3 modüllerin başlangıcı 500 MHz.
Modüller
Tür
Voltaj VDD,VDDQ
Frekans Aralığı
Okuma Gecikmesi
128M bit
GDDR1
2.5V, 2.5V
183-500 (800)MHz*
3,4,5
256M bit
GDDR1
2.5V, 2.5V
183-500 (800)MHz*
3,4,5
256M bit
GDDR2
2.5V, 1.8V
400-500MHz
5,6,7
256M bit
GDDR3
1.8V, 1.8V
500-800MHz
5,6,7,8,9
Çoğunluğunda GDDR3, başarısız GDDR2 şartnamesini kullanıyor. Ama strobe (atım planı) ve alıcı türü değişmiş.
Modüller
GDDR2
GDDR3
Strobe Alıcı Türü
İki yönlü & diferansiyel (DQS, /DQS) itme çekme
Tek yönlü & tek sonlu (RDQS,WDQS) Pseudo açık kanalı
GDDR2 teknolojisini kullanan kartlar 256MB Ati Radeon 9800 Pro, NVIDIA FX5800 Ultra ve daha önce bahsettiğimiz FX5700'dü. Pratikte bu bellek türünde karşılaşılan en büyük sorun yüksek ısı dağılımı idi. Düşük VDDQ sayesinde (sadece 1.8V), GDDR3 bu sorunun üstesinden geleceğini vaadediyor - en azından yavaş yongalarda. Yinede bu yongalar bile pasif ısı emiciye ihtiyaç duyacak.
GDDR3 bellek ile ilgili daha fazla bilgiyi Hynix'in ve Samsung'un web sitelerinden bulabilirsiniz:
